1N8030-GA Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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1N8030-GA
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 750mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.39V @ 750mA Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 76pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-257-3 Lieferantengerätepaket TO-257 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 250°C |
