112RKI80 Datenblatt
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Spannung - Aus Zustand 800V Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 2V Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 120mA Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) 1.57V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 110A Current - On State (It (RMS)) (max.) 172A Current - Hold (Ih) (Max) 200mA Current - Off State (Max) 20mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 2080A, 2180A SCR-Typ Standard Recovery Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall TO-209AC, TO-94-4, Stud Lieferantengerätepaket TO-209AC (TO-94) |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Spannung - Aus Zustand 400V Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) 2V Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 120mA Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) 1.57V Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 110A Current - On State (It (RMS)) (max.) 172A Current - Hold (Ih) (Max) 200mA Current - Off State (Max) 20mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) 2080A, 2180A SCR-Typ Standard Recovery Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall TO-209AC, TO-94-4, Stud Lieferantengerätepaket TO-209AC (TO-94) |