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112RKI80 Datenblatt

112RKI80 Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: 112RKI80, 112RKI40
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112RKI80 Datenblatt Seite 7
112RKI80

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

800V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

120mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.57V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

110A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

172A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Current - Off State (Max)

20mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2080A, 2180A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

TO-209AC, TO-94-4, Stud

Lieferantengerätepaket

TO-209AC (TO-94)

112RKI40

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Spannung - Aus Zustand

400V

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

120mA

Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.)

1.57V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

110A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

172A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Current - Off State (Max)

20mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

2080A, 2180A

SCR-Typ

Standard Recovery

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

TO-209AC, TO-94-4, Stud

Lieferantengerätepaket

TO-209AC (TO-94)