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AOI4286 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 14A TO-251 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta), 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager28.632
AOI442 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 7A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta), 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.032
AOI444 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 4A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta), 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager7.398
AOI452A Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET TO-251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.812
AOI468 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 300V 11.5A TO252 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager6.174
AOI472A Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 18A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1333pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.960
AOI482 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 32A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager6.930
AOI4C60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4A TO-252 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.628
AOI4N60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager7.938
AOI4S60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 263pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 56.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.376
AOI4T60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.150
AOI4T60P Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 522pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.420
AOI4TL60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.150
AOI508 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 70A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.222
AOI510 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 70A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Ta), 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2719pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 7.5W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.042
AOI514 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1187pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.382
AOI516 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1229pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.328
AOI516_001 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 18A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1229pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251B Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.068
AOI516_002 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 18A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1229pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251B Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.868
AOI518 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 15A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 951pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager7.092
AOI518_001 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 18A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 951pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.992
AOI530 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 70A TO-251 Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaMOS FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Ta), 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3130pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.410
AOI538 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 34A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: AlphaMOS FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Ta), 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2160pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.2W (Ta), 24W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.824
AOI5N40 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager6.714
AOI7N60 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 178W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager8.460
AOI7N65 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 178W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.906
AOI7S65 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 434pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 89W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.942
AOI8N25 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 8A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 306pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.700
AOI950A70 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 700V, A MOSTM N-CHANNEL POWER TR Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: aMOS5™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 461pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 56.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager7.758
AOI9N50 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A TO251A Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 178W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251A Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager8.748

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