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Transistoren

Datensätze 64.903
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Beschreibung
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SMMUN2114LT1G
SMMUN2114LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager45.750
SMMUN2116LT1G
SMMUN2116LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager4.230
SMMUN2116LT3G
SMMUN2116LT3G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager3.762
SMMUN2134LT1G
SMMUN2134LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager128.790
SMMUN2211LT1G
SMMUN2211LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager1.049.670
SMMUN2211LT3G
SMMUN2211LT3G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager94.392
SMMUN2213LT1G
SMMUN2213LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager143.766
SMMUN2213LT3G
SMMUN2213LT3G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager3.490
SMMUN2214LT1G
SMMUN2214LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager153.102
SMMUN2215LT1G
SMMUN2215LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager4.806
SMMUN2216LT1G
SMMUN2216LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager57.342
SMMUN2216LT3G
SMMUN2216LT3G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236, SC-59, SOT-23-3 variant, 3-SMD
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager5.346
SMMUN2233LT1G
SMMUN2233LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager261.744
SMMUN2234LT1G
SMMUN2234LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager2.610
SMMUN2238LT1G
SMMUN2238LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager4.176
SMUN2111T1G
SMUN2111T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager23.304
SMUN2111T3G
SMUN2111T3G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager4.536
SMUN2113T1G
SMUN2113T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager28.488
SMUN2114T1G
SMUN2114T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager92.304
SMUN2211T1G
SMUN2211T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager8.820
SMUN2211T3G
SMUN2211T3G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager8.478
SMUN2212T1G
SMUN2212T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager7.722
SMUN2213T1G
SMUN2213T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager46.230
SMUN2214T1G
SMUN2214T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager25.746
SMUN2214T3G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager2.646
SMUN2216T1G
SMUN2216T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager44.646
SMUN2230T1G
SMUN2230T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager2.412
SMUN2232T1G
SMUN2232T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager112.266
SMUN2240T1G
SMUN2240T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59
Auf Lager4.122
SMUN5111T1G
SMUN5111T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 202mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323)
Auf Lager641.466