Transistoren

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Seite 696/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PDTD113ZK,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3; MPAK	Auf Lager4.680
PDTD113ZQAZ Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 210MHz Leistung - max: 325mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010D-3	Auf Lager6.498
PDTD113ZS,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.668
PDTD113ZT,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager177.264
PDTD113ZTVL Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager90.738
PDTD113ZUF Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager4.032
PDTD113ZUX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager8.820
PDTD114EQAZ Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 210MHz Leistung - max: 325mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010D-3	Auf Lager3.438
PDTD114ETR Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 320mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager3.600
PDTD114ETVL Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 320mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager4.068
PDTD114EUF Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager5.760
PDTD114EUX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager6.912
PDTD123EK,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3; MPAK	Auf Lager6.210
PDTD123EQAZ Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 210MHz Leistung - max: 325mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010D-3	Auf Lager7.218
PDTD123ES,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.254
PDTD123ET,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager28.926
PDTD123EUF Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager4.536
PDTD123EUX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager6.498
PDTD123TK,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3; MPAK	Auf Lager7.848
PDTD123TS,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.106
PDTD123TT,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager13.440
PDTD123YK,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3; MPAK	Auf Lager6.156
PDTD123YQAZ Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 210MHz Leistung - max: 325mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010D-3	Auf Lager7.830
PDTD123YS,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.560
PDTD123YT,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager1.214.094
PDTD123YUF Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager5.634
PDTD123YUX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager3.024
PDTD143EQAZ Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 210MHz Leistung - max: 325mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010D-3	Auf Lager5.490
PDTD143ETR Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 320mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager2.988
PDTD143ETVL Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.425W Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 225MHz Leistung - max: 320mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager2.268

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