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PDTA123TMB,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 180MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XFDFN Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3	Auf Lager4.212
PDTA123TT,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager4.590
PDTA123TT,235 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager3.400
PDTA123TU,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager5.580
PDTA123YE,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75	Auf Lager5.058
PDTA123YK,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3; MPAK	Auf Lager6.084
PDTA123YM,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: DFN1006-3	Auf Lager8.478
PDTA123YMB,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 180MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XFDFN Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3	Auf Lager5.706
PDTA123YS,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.750
PDTA123YT,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager22.764
PDTA123YU,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager8.586
PDTA124EE,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75	Auf Lager6.786
PDTA124EK,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3; MPAK	Auf Lager5.724
PDTA124EM,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: DFN1006-3	Auf Lager3.078
PDTA124EMB,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Frequenz - Übergang: 180MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XFDFN Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3	Auf Lager8.424
PDTA124EQAZ Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 180MHz Leistung - max: 280mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010D-3	Auf Lager3.636
PDTA124ES,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.330
PDTA124ET,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager54.252
PDTA124ET,235 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager7.938
PDTA124EU,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager22.452
PDTA124EU,135 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager7.668
PDTA124TE,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75	Auf Lager7.344
PDTA124TK,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3; MPAK	Auf Lager6.354
PDTA124TM,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: DFN1006-3	Auf Lager2.250
PDTA124TMB,315 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 180MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XFDFN Lieferantengerätepaket: DFN1006B-3	Auf Lager2.268
PDTA124TS,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.238
PDTA124TT,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager3.780
PDTA124TU,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager5.598
PDTA124XE,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75	Auf Lager8.622
PDTA124XK,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3; MPAK	Auf Lager4.374

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