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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MUN5241T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS BRT NPN 50V 100MA SC70-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 202mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323)	Auf Lager5.040
NSB9435T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 110MHz Leistung - max: 720mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager4.536
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager7.128
NSBA114EF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager7.488
NSBA114TF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager3.312
NSBA114YF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager7.560
NSBA115TF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager6.858
NSBA123EF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager5.112
NSBA123JF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager3.924
NSBA123TF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager4.068
NSBA124EF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager5.850
NSBA124XF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager3.672
NSBA143EF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager3.132
NSBA143TF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager7.578
NSBA143ZF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager3.150
NSBA144EF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager7.794
NSBA144TF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager4.194
NSBA144WF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager2.880
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager3.834
NSBC114EF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager3.096
NSBC114TF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager3.366
NSBC114YF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager8.532
NSBC115TF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager4.374
NSBC123EF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager2.826
NSBC123JF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager4.014
NSBC123TF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager3.942
NSBC124EF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager7.344
NSBC124XF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager8.910
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NSBC143TF3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL NPN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 254mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: SOT-1123	Auf Lager6.534

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