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DTC143EUAT106 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager112.614
DTC143EUA-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN DIGITAL TRANSISTORSSOT-323 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager26.676
DTC143EUBHZGTL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: UMT3F	Auf Lager27.084
DTC143EUBTL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: UMT3F	Auf Lager8.658
DTC143TCAHZGT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 350mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager5.040
DTC143TCAT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager22.842
DTC143TEBTL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: EMT3	Auf Lager2.880
DTC143TET1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75, SOT-416	Auf Lager2.376
DTC143TET1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75, SOT-416	Auf Lager247.368
DTC143TETL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: EMT3	Auf Lager22.650
DTC143TKAT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager23.346
DTC143TM3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 260mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SOT-723	Auf Lager8.982
DTC143TMFHAT2L Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VMT3	Auf Lager2.394
DTC143TMT2L Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VMT3	Auf Lager3.978
DTC143TSATP Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket: SPT	Auf Lager8.784
DTC143TU3HZGT106 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt DTC143TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager22.938
DTC143TU3T106 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt DTC143TU3 IS AN DIGITAL TRANSIST Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager27.558
DTC143TUAT106 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager7.092
DTC143TUBTL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: UMT3F	Auf Lager3.798
DTC143XCAHZGT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 350mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager157.866
DTC143XCAT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: * Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager53.280
DTC143XCA-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3L	Auf Lager46.158
DTC143XEBHZGTL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: EMT3F (SOT-416FL)	Auf Lager8.172
DTC143XEBTL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: EMT3	Auf Lager8.244
DTC143XEFRATL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: EMT3	Auf Lager7.668
DTC143XETL Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: EMT3	Auf Lager21.762
DTC143XKAT146 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SMT3	Auf Lager28.122
DTC143XMFHAT2L Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VMT3	Auf Lager4.536
DTC143XMT2L Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VMT3	Auf Lager8.334
DTC143XSATP Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket: SPT	Auf Lager2.142

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