Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
EMD5T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms, 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager5.796
EMD62T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager4.698
EMD6FHAT2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager3.168
EMD6T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager5.238
EMD9FHAT2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager8.784
EMD9T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager6.084
EMF17T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz, 140MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager3.580
EMF18XV6T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 60V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager2.646
EMF21-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 12V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz, 280MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager3.186
EMF21T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 12V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz, 260MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager5.400
EMF22T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 12V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz, 320MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager4.680
EMF24T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz, 180MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager7.614
EMF5T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 12V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz, 260MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager70.140
EMF5XV6T5 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 12V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager3.726
EMF5XV6T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 12V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 500mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager7.506
EMF8T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 12V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz, 320MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager4.806
EMG11T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket: EMT5	Auf Lager66.858
EMG1T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket: EMT5	Auf Lager3.454
EMG2DXV5T1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: SOT-553	Auf Lager8.118
EMG2DXV5T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: SOT-553	Auf Lager3.294
EMG2DXV5T5 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: SOT-553	Auf Lager6.102
EMG2DXV5T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 230mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-553 Lieferantengerätepaket: SOT-553	Auf Lager3.330
EMG2T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket: EMT5	Auf Lager5.544
EMG3T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: EMT3	Auf Lager7.398
EMG4T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket: EMT5	Auf Lager5.922
EMG5T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket: EMT5	Auf Lager83.772
EMG6T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket: EMT5	Auf Lager4.824
EMG8T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket: EMT5	Auf Lager160.392
EMG9T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Lieferantengerätepaket: EMT5	Auf Lager2.844
EMH10FHAT2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager82.584

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