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Transistoren

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Beschreibung
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DDTC114TUA-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager5.778
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager140.916
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager2.916
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager29.274
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 150mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager2.646
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 150mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager5.850
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59-3
Auf Lager5.814
DDTC114WUA-7
DDTC114WUA-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager8.892
DDTC114WUA-7-F
DDTC114WUA-7-F

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager7.128
DDTC114YCA-7
DDTC114YCA-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager5.202
DDTC114YCA-7-F
DDTC114YCA-7-F

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager102.894
DDTC114YE-7
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 150mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager6.066
DDTC114YE-7-F
DDTC114YE-7-F

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 150mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager23.310
DDTC114YKA-7-F
DDTC114YKA-7-F

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59-3
Auf Lager2.394
DDTC114YLP-7
DDTC114YLP-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-UFDFN
  • Lieferantengerätepaket: 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Auf Lager6.534
DDTC114YUA-7
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager8.946
DDTC114YUA-7-F
DDTC114YUA-7-F

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager23.922
DDTC115ECA-7
DDTC115ECA-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager6.282
DDTC115ECA-7-F
DDTC115ECA-7-F

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager7.506
DDTC115EE-7
DDTC115EE-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 150mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager8.334
DDTC115EE-7-F
DDTC115EE-7-F

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 150mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager7.074
DDTC115EKA-7-F
DDTC115EKA-7-F

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59-3
Auf Lager4.986
DDTC115EUA-7
DDTC115EUA-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager8.280
DDTC115EUA-7-F
DDTC115EUA-7-F

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager24.570
DDTC115GCA-7
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager2.610
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager7.902
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 150mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager6.300
DDTC115GE-7-F
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 150mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager3.852
DDTC115GKA-7-F
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59-3
Auf Lager7.200
DDTC115GUA-7
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Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager5.814