Transistoren

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Seite 577/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
TIP136 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220AB Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 70W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager8.892
TIP137 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 30mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager16.230
TIP140 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager6.192
TIP140 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 10A TO218AC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.190
TIP140G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 10A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager6.492
TIP140TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 10A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager6.372
TIP141 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager5.526
TIP141 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 10A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager3.474
TIP141G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 10A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager18.672
TIP141T ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 10A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.420
TIP142 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager5.148
TIP142 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 10A TO218AC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.154
TIP142 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 10A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager23.916
TIP142FTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 10A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager7.560
TIP142G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 10A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager11.388
TIP142T ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.218
TIP142T STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 10A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager12.744
TIP142TTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager15.444
TIP142TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 10A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager8.082
TIP145 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager7.956
TIP145 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 10A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager3.906
TIP145G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 10A TO-218 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager5.382
TIP146 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager6.048
TIP146 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 10A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager3.204
TIP146TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 10A TO220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager5.256
TIP147 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS GENERAL PURPOSE TO-218 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager2.070
TIP147 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 10A TO218AC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-218-3 Lieferantengerätepaket: TO-218	Auf Lager2.952
TIP147 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 10A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager15.636
TIP147FTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 10A TO3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager9.864
TIP147G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 10A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager10.776

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