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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
KSD363RTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 6A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager21.372
KSD363Y ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 6A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager4.626
KSD363YTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 6A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.420
KSD401FYTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 2A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V Leistung - max: 25W Frequenz - Übergang: 5MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager5.634
KSD401G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 2A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 400mA, 10V Leistung - max: 25W Frequenz - Übergang: 5MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager5.760
KSD401O ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 2A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V Leistung - max: 25W Frequenz - Übergang: 5MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.344
KSD401Y ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 2A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V Leistung - max: 25W Frequenz - Übergang: 5MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager8.226
KSD401YTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 2A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V Leistung - max: 25W Frequenz - Übergang: 5MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager5.778
KSD471ACGBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.420
KSD471ACGTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.780
KSD471ACYBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.492
KSD471ACYTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.676
KSD471AGBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.714
KSD471AGTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager34.752
KSD471AYBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager69.750
KSD471AYTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.340
KSD5018 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 275V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.762
KSD5018PWD ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 275V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager6.840
KSD5018TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 275V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager8.856
KSD5041PBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.240
KSD5041PTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.046
KSD5041QBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.808
KSD5041QTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.740
KSD5041RBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.942
KSD5041RTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager80.052
KSD526O ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 8MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.960
KSD526OTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 8MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.488
KSD526Y ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 8MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager8.964
KSD526YTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 4A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 8MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.600
KSD560OTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.128

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