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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
JANTX2N718A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.5A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/181 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager4.968
JANTX2N720A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/182 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager3.006
JANTX2N7370 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 12A TO254 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/624 Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Lieferantengerätepaket: TO-254AA	Auf Lager5.634
JANTX2N7373 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 5A TO254 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/613 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Leistung - max: 4W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Lieferantengerätepaket: TO-254AA	Auf Lager6.390
JANTX2N918 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.150
JANTX2N918UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/301 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager4.194
JANTX2N930 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.03A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/253 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager6.720
JANTXN3251AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.250
JANTXV2N1613L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.5A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/181 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager7.146
JANTXV2N1893 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 0.5A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/182 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager2.700
JANTXV2N1893S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 0.5A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/182 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager6.012
JANTXV2N2218 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.8A TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager3.114
JANTXV2N2218A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager3.492
JANTXV2N2218AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager7.866
JANTXV2N2219 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-205AD	Auf Lager8.550
JANTXV2N2219A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-205AD	Auf Lager3.492
JANTXV2N2219AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/251 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager6.390
JANTXV2N2221A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager2.772
JANTXV2N2221AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager3.258
JANTXV2N2221AUA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UA	Auf Lager5.256
JANTXV2N2222A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager2.232
JANTXV2N2222AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager8.190
JANTXV2N2222AUA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 4-SMD	Auf Lager4.194
JANTXV2N2222AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager6.030
JANTXV2N2369A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V TO18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/317 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)	Auf Lager8.334
JANTXV2N2369AUA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/317 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UA	Auf Lager5.148
JANTXV2N2369AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V 4UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/317 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager2.070
JANTXV2N2432A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.1A TO-18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/313 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 0.15mV @ 500µA, 10V Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager6.048
JANTXV2N2484 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.05A TO18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/376 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager6.804
JANTXV2N2484UA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/376 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UA	Auf Lager7.290

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