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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
DXTN07060BFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 175MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager4.464
DXTN07100BFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 175MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager4.950
DXTN07100BP5-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Leistung - max: 740mW Frequenz - Übergang: 175MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerDI™ 5 Lieferantengerätepaket: PowerDI™ 5	Auf Lager3.454
DXTN07100BP5Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR MID PERF TRANSISTOR PDI5 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Leistung - max: 3.2W Frequenz - Übergang: 175MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerDI™ 5 Lieferantengerätepaket: PowerDI™ 5	Auf Lager7.470
DXTN26070CY-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN SOT89 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Leistung - max: 700mW Frequenz - Übergang: 220MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager4.698
DXTN3C100PSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8	Auf Lager8.658
DXTN3C60PS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.730
DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8	Auf Lager5.040
DXTP03200BP5-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 200V 2A POWERDI5 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Leistung - max: 3.2W Frequenz - Übergang: 105MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerDI™ 5 Lieferantengerätepaket: PowerDI™ 5	Auf Lager2.754
DXTP07025BFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 160MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager4.284
DXTP07040CFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager4.914
DXTP07040CFGQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager5.274
DXTP07060BFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager2.016
DXTP07100BFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager7.182
DXTP19020DP5-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 20V 8A POWERDI5 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 176MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerDI™ 5 Lieferantengerätepaket: PowerDI™ 5	Auf Lager2.718
DXTP3C100PSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: 125MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8	Auf Lager2.358
DXTP3C60PS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8	Auf Lager48.324
DXTP3C60PSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: 135MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8	Auf Lager3.042
DXTP560BP5-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V Leistung - max: 2.8W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: PowerDI™ 5 Lieferantengerätepaket: PowerDI™ 5	Auf Lager6.786
DZT2222A-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.6A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager377.262
DZT2907A-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.6A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager526.074
DZT3150-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 5A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager4.284
DZT491-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager8.784
DZT5401-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager51.108
DZT5551-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager145.200
DZT5551Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 600MA SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager6.768
DZT591C-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 1A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager4.734
DZT651-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager8.730
DZT658-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager68.454
DZT751-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 3A SOT-223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager6.462

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