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Seite 365/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BF421,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.05A SOT54 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.560
BF421-AP STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.5A TO-92 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.178
BF421ZL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.05A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.730
BF421ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.05A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.614
BF422 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 0.05A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.694
BF422,116 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 0.05A SOT54 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.340
BF422G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 0.05A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.154
BF422RL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 0.05A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.250
BF422ZL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 0.05A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.366
BF422ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 0.05A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.734
BF423 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 0.05A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.354
BF423,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 0.05A SOT54 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.272
BF423,116 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 0.05A SOT54 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.664
BF423G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 0.05A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.446
BF423ZL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.186
BF423ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.136
BF493S ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.092
BF493SG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.524
BF517E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V 0.025A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V Leistung - max: 280mW Frequenz - Übergang: 2.5GHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.346
BF550,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.025A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 10V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 325MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager225.258
BF550,235 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.025A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 10V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 325MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager98.382
BF570,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V 0.1A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 490MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager25.176
BF620,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.05A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager13.212
BF621,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.05A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager24.348
BF621TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.05A SOT89 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager5.220
BF622,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 0.05A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager231.438
BF623,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 0.05A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager22.752
BF720,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager23.616
BF720T1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.1A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager7.758
BF720T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.1A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager42.822

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