Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 330/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BCP55H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 1A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager3.436
BCP55TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 1A SOT223-4 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager21.042
BCP56 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1.2A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223-4	Auf Lager2.124
BCP56-10,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 960mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager150.462
BCP56-10,135 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 960mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager35.694
BCP5610E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager2.430
BCP 56-10 E6433 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager6.534
BCP5610H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager6.966
BCP 56-10 H6433 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager4.302
BCP56-10HX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SC73 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager2.196
BCP5610QTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.426
BCP5610QTC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.994
BCP56-10T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager269.376
BCP56-10T3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261)	Auf Lager8.550
BCP5610TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager21.768
BCP56-10TF Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1.8W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager88.614
BCP56-10-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN SOT-223 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager5.868
BCP56-10TX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1.8W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager7.092
BCP56,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 960mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager111.216
BCP56-16 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1.6W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager648.174
BCP56-16,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 960mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager665.874
BCP56-16,135 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 960mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager3.330
BCP5616E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager4.446
BCP5616H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager6.930
BCP56-16HX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SC73 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager28.692
BCP5616QTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager82.446
BCP56-16T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager525.408
BCP56-16T3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager753.258
BCP5616TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager3.150
BCP5616TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 125MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager4.878

«
‹
1
...
327
328
329
330 (current)
331
332
333
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message