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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BC848B-13-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 450 @ 2mA, 5V Leistung - max: 310mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager5.346
BC848B,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager1.113.744
BC848B,235 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager73.818
BC848B-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.212
BC848BE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.076
BC848BE6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.118
BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager8.046
BC848BL3E6327XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT 23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.050
BC848BLT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager33.577
BC848BLT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager232.716
BC848BLT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager88.026
BC848BMTF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 310mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.400
BC848B RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager8.100
BC848BT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SST3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SST3	Auf Lager3.186
BC848B-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager4.176
BC848BW-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager6.624
BC848BWE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager2.430
BC848BWH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager8.082
BC848BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager4.986
BC848BWT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323)	Auf Lager4.734
BC848BWT106 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager26.052
BC848BWT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 150mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323)	Auf Lager7.128
BC848C-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager1.013.268
BC 848C B6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.172
BC848CE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.812
BC848CE6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager6.444
BC848CLT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager25.899
BC848CLT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager1.355.292
BC848CMTF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 310mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.662
BC848C RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager2.340

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