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Seite 297/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BC56-10PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager7.056
BC56-10PASX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC TRANS NPN 1A 80V SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3	Auf Lager8.352
BC56-16PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager7.830
BC56-16PA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 520mW Frequenz - Übergang: 125MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN-2020-3	Auf Lager22.956
BC56-16PASX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC TRANS NPN 1A 80V SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3	Auf Lager2.286
BC56PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager29.664
BC56PASX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC TRANS NPN 1A 80V SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3	Auf Lager25.758
BC618 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.766
BC618,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 55V 0.5A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 155MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.506
BC618G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.302
BC618RL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.526
BC618RL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.598
BC635 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.942
BC635,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.200
BC635,116 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.490
BC635-16,126 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.186
BC635_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.202
BC635_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.776
BC635_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.920
BC635_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.670
BC635_L34Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.050
BC635RL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.168
BC635RL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.636
BC635ZL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.788
BC635ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.672
BC636 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.562
BC636,116 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 45V 1A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 830mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.142
BC636BU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.290
BC636_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.570
BC636TA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 45V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager16.452

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