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BC549ABU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.106
BC549ATA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.878
BC549B ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.924
BC549B A1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.654
BC549B B1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager6.066
BC549BBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.232
BC549B_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.688
BC549BTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.930
BC549BTAR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.652
BC549BTF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager48.630
BC549BTFR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.406
BC549BU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.726
BC549C ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.078
BC549C,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.722
BC549C A1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager8.208
BC549C B1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.384
BC549CBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.430
BC549CG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.364
BC549C_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.042
BC549CTA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager95.214
BC549CTF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.196
BC549CTFR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.670
BC549_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.084
BC549TAR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.364
BC549TF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.932
BC549TFR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.946
BC54PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager2.160
BC54PASX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC TRANS NPN 1A 45V SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3	Auf Lager54.618
BC550 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.136
BC550A A1G Taiwan Semiconductor Corporation	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 110A Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.168

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