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Transistoren

Datensätze 64.903
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Beschreibung
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BC53PASX
BC53PASX

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 420mW
  • Frequenz - Übergang: 145MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3
Auf Lager67.806
BC54-10PA,115
BC54-10PA,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 45V 1A SOT1061

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 420mW
  • Frequenz - Übergang: 180MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-PowerUDFN
  • Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)
Auf Lager8.262
BC54-10PASX
BC54-10PASX

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

IC TRANS NPN 1A 45V SOT1061

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 420mW
  • Frequenz - Übergang: 180MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3
Auf Lager2.610
BC54-16PA,115
BC54-16PA,115

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 45V 1A SOT1061

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 420mW
  • Frequenz - Übergang: 180MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-PowerUDFN
  • Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)
Auf Lager6.120
BC54-16PASX
BC54-16PASX

Nexperia

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

IC TRANS NPN 1A 45V SOT1061

  • Hersteller: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
  • Leistung - max: 420mW
  • Frequenz - Übergang: 180MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad
  • Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3
Auf Lager7.578
BC546
BC546

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.222
BC546A
BC546A

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.416
BC546A
BC546A

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager7.056
BC546A A1G
BC546A A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 110A

  • Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager8.370
BC546A B1G
BC546A B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 110A

  • Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager2.160
BC546ABU
BC546ABU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager183.516
BC546A_D81Z
BC546A_D81Z

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager8.586
BC546A_J35Z
BC546A_J35Z

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager8.586
BC546-AP
BC546-AP

Micro Commercial Co

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: Micro Commercial Co
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager6.408
BC546ATA
BC546ATA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager33.924
BC546ATAR
BC546ATAR

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager5.220
BC546B,116

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.510
BC546B,126

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager5.886
BC546B A1G
BC546B A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 200A

  • Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager3.132
BC546B-AP
BC546B-AP

Micro Commercial Co

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: Micro Commercial Co
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager4.536
BC546B B1G
BC546B B1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 200A

  • Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Auf Lager5.976
BC546BBU
BC546BBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.096
BC546BG
BC546BG

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.506
BC546B_J35Z
BC546B_J35Z

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager5.328
BC546BRL1G
BC546BRL1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 625mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.330
BC546BTA
BC546BTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
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BC546BTAR
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
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TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
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TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: 300MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
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