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Seite 271/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
APT17NTR-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 480V SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 480V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 20V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager29.466
APT27HZTR-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 0.8A TO92 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 300mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager23.418
APT27ZTR-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 0.8A TO92 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.330
B772-R-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DPAK Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.25W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager5.220
BC107 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.1A TO-18 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager23.471
BC107 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.2A TO-18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager5.100
BC107B STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.1A TO-18 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager4.687
BC108B Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager4.050
BC141-10 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 1A TO-39 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 650mW Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager3.526
BC141-16 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 1A TO-39 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 650mW Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager7.092
BC182 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.452
BC182 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager4.320
BC182A ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.514
BC182AG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.358
BC182B ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.348
BC182B_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.444
BC182BG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.770
BC182B_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.068
BC182BRL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.974
BC182BRL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.538
BC182_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.358
BC182_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.790
BC182_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.824
BC182G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.064
BC182_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.032
BC182L ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.582
BC182LA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.490
BC182LA_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.904
BC182LB ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.100
BC182LB_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.472

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