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Seite 243/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SC50260RL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 1A MINI-PWR Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MiniP3-F1	Auf Lager6.030
2SC5053T100Q Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 1A SOT-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MPT3	Auf Lager22.554
2SC5053T100R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 1A SOT-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MPT3	Auf Lager2.808
2SC5060TV2M Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 90V 1A ATV Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 90V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SIP Lieferantengerätepaket: ATV	Auf Lager7.434
2SC5071 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 12A TO-220F Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.4A, 7A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 7A, 4V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager16.890
2SC5099 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 6A TO3PF Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V Leistung - max: 60W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager7.614
2SC5100 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 8A TO3PF Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager17.970
2SC5101 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 140V 10A TO3PF Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager6.966
2SC5103TLP Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 5A SOT-428 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: CPT3	Auf Lager2.286
2SC5103TLQ Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 5A SOT-428 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: CPT3	Auf Lager3.888
2SC51210P Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 0.07A TO-126 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126B-A1	Auf Lager4.554
2SC5130 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 5A TO220F Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1.5A, 4V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager33.114
2SC5161TLB Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 2A SOT-428 TR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: CPT3	Auf Lager7.848
2SC5171(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager8.820
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager4.896
2SC5171,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager3.906
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager8.856
2SC5171,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 2A 180V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 180V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager6.606
2SC5172(YAZK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 5A 400V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager6.912
2SC5200 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 230V 15A TO-264 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager7.020
2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 230V 15A TO-3PL Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P(N)	Auf Lager7.296
2SC5200-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 230V 15A TO-3PL Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3PL Lieferantengerätepaket: TO-3P(L)	Auf Lager7.650
2SC5200OTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 17A TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager20.088
2SC5200RTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 17A TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager3.330
2SC5201,F(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager3.258
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager2.196
2SC5201,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager4.824
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager3.834
2SC5201(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50MA 600V TO226-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V Leistung - max: 900mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket: TO-92MOD	Auf Lager4.770
2SC5231C8-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 0.07A 10V Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SMCP	Auf Lager2.826

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