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Seite 238/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SC4097T106Q Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 32V 0.5A SOT-323 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 32V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager6.804
2SC4097T106R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 32V 0.5A SOT-323 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 32V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 3V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager224.592
2SC4102T106R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 0.05A SOT-323 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager27.264
2SC4102T106S Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 0.05A SOT-323 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager3.526
2SC4115S-Q-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92S	Auf Lager6.966
2SC4115S-R-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92S	Auf Lager7.110
2SC4115S-S-AP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92S	Auf Lager3.978
2SC4115STPQ Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 2A 3-PIN SPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: 290MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket: SPT	Auf Lager5.814
2SC4115STPR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 2A SPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: 290MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket: SPT	Auf Lager5.490
2SC4115STPS Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 2A 3-PIN SPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: 290MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Formed Leads Lieferantengerätepaket: SPT	Auf Lager7.722
2SC4116-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager8.406
2SC4116-BL-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager3.960
2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager48.660
2SC4116-GR-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager6.516
2SC4116-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 150MA SC70 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager49.236
2SC4116-O-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager5.346
2SC4116SU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager4.194
2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager46.902
2SC4116-Y-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR TO-92 MOD Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager8.010
2SC4117-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 0.1A SOT323 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Leistung - max: 100mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager90.816
2SC4117-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.272
2SC4131 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 15A TO3PF Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5A, 1V Leistung - max: 60W Frequenz - Übergang: 18MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager20.844
2SC4132T100P Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 2A SOT89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MPT3	Auf Lager7.182
2SC4132T100Q Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 2A SOT-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MPT3	Auf Lager5.112
2SC4132T100R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 2A SOT-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 5V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MPT3	Auf Lager3.654
2SC4134S-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 1A TP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: TP	Auf Lager7.254
2SC4134S-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 1A TP-FA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: 2-TP-FA	Auf Lager19.368
2SC4134T-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 1A TP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: TP	Auf Lager7.056
2SC4134T-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 1A TP-FA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: 2-TP-FA	Auf Lager8.370
2SC4135S-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 2A TP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: TP	Auf Lager16.092

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