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Seite 2143/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SK33720UL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 2mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: -20°C ~ 80°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F1	Auf Lager2.052
2SK3372GRL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 2mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: -20°C ~ 80°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F2	Auf Lager6.426
2SK3372GSL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 2mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: -20°C ~ 80°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F2	Auf Lager7.920
2SK3372GTL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 2mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: -20°C ~ 80°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F2	Auf Lager3.472
2SK3372GUL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 2mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: -20°C ~ 80°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F2	Auf Lager4.392
2SK34260TL Panasonic Electronic Components	Transistoren - JFETs JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 2mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: -20°C ~ 80°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F1	Auf Lager4.964
2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET NCH 30V 200MW 3CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 200 Ohms Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager9.943
2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 200MW 3CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 200 Ohms Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager12.596
2SK3666-4-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.2W CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 200 Ohms Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager8.388
2SK3738-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 40V SC-75 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1.7pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SMCP	Auf Lager3.276
2SK3796-2-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 100MW SMCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 200 Ohms Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SMCP	Auf Lager5.022
2SK3796-3-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 100MW SMCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 200 Ohms Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SMCP	Auf Lager2.924
2SK3796-4-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 100MW SMCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 200 Ohms Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SMCP	Auf Lager5.094
2SK545-11D-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 125MW CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1.7pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager212
2SK596S-A ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 0.1W Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.1pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Lieferantengerätepaket: 3-SPA	Auf Lager7.254
2SK596S-B ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW SPA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.1pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Lieferantengerätepaket: 3-SPA	Auf Lager20.035
2SK596S-C ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 0.1W Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.1pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Lieferantengerätepaket: 3-SPA	Auf Lager159
2SK715U ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 300MW SPA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Lieferantengerätepaket: 3-SPA	Auf Lager7.020
2SK715U-AC ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 300MW SPA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Lieferantengerätepaket: 3-SPA	Auf Lager3.420
2SK715V ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 300MW SPA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Lieferantengerätepaket: 3-SPA	Auf Lager112
2SK715V-AC ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 300MW SPA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Lieferantengerätepaket: 3-SPA	Auf Lager31.559
2SK715W ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 300MW SPA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Lieferantengerätepaket: 3-SPA	Auf Lager3.150
2SK715W-AC ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 300MW SPA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: SC-72 Lieferantengerätepaket: 3-SPA	Auf Lager5.112
2SK771-5-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 20MA 200MW SCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 20mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager3.905
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET N-CH 0.1W USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager32.949
2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET N-CH 0.1W USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager392.380
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50V 0.1W USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager7.020
2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50V 0.1W USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70	Auf Lager7.416
2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50V 0.1W USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager5.933
2SK932-22-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 50MA 200MW CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager4.427

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