Transistoren

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Datensätze 64.903

Seite 2070/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IRGBC20UD2 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT W/DIODE 600V 13A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6.5A Leistung - max: 60W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager4.320
IRGBC30F Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT FAST 600V 31A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 17A Leistung - max: 100W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager4.716
IRGBC30FD2 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 17A Leistung - max: 100W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.070
IRGBC30S Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT STD 600V 34A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 18A Leistung - max: 100W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.496
IRGBC30U Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager4.680
IRGBC30UD2 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.628
IRGBC40S Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT STD 600V 50A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 31A Leistung - max: 160W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.498
IRGBC40U Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.484
IRGBF20F Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT FAST 900V 20A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5.3A Leistung - max: 60W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.178
IRGC14C40LD Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT IGNITION LL Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 4.5V, 10A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager5.418
IRGC4056B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager7.920
IRGC4059B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager4.986
IRGC4060B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager6.786
IRGC4061B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager4.428
IRGC4062B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager8.784
IRGC4063B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager5.076
IRGC4064B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager7.182
IRGC4067B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 240nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 50ns/160ns Testbedingung: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager3.024
IRGC4069B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager2.862
IRGC4263B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager7.182
IRGC4630B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager8.622
IRGC4660B Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT CHIP WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 45ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager2.646
IRGH4607DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 8PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: - Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.848
IRGH4610DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 8PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: - Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.484
IRGI4045DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 11A 33W TO220ABFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Leistung - max: 33W Schaltenergie: 64µJ (on), 123µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 26ns/73ns Testbedingung: 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 73ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220AB Full-Pak	Auf Lager3.528
IRGI4056DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 18A 34W TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 27A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 9A Leistung - max: 34W Schaltenergie: 59µJ (on), 177µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 34ns/84ns Testbedingung: 400V, 9A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 72ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220AB Full-Pak	Auf Lager4.554
IRGI4059DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.724
IRGI4060DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 23A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.72V @ 15V, 7.5A Leistung - max: 37W Schaltenergie: 47µJ (on), 141µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/101ns Testbedingung: 400V, 7.5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 73ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220AB Full-Pak	Auf Lager4.626
IRGI4061DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 43W TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.59V @ 15V, 11A Leistung - max: 43W Schaltenergie: 52µJ (on), 231µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 37ns/111ns Testbedingung: 400V, 11A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.838
IRGI4062DPBF Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 22A 48W TO220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 22A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.58V @ 15V, 12A Leistung - max: 48W Schaltenergie: 31µJ (on), 183µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 41ns/100ns Testbedingung: 400V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 56ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220AB Full-Pak	Auf Lager6.462

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