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Transistoren

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Beschreibung
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ZXMP10A17GQTA
ZXMP10A17GQTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 100V SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 424pF @ 50V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
Auf Lager4.932
ZXMP10A17GQTC
ZXMP10A17GQTC

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.2A, 6V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 424pF @ 50V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
Auf Lager6.372
ZXMP10A17GTA
ZXMP10A17GTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 424pF @ 50V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
Auf Lager4.968
ZXMP10A17KTC
ZXMP10A17KTC

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 424pF @ 50V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252-2
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager6.390
ZXMP10A18GTA
ZXMP10A18GTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 50V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
Auf Lager267.072
ZXMP10A18K
ZXMP10A18K

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 50V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2.17W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252-3
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager2.520
ZXMP10A18KTC
ZXMP10A18KTC

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 50V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2.17W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252-3
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager834.972
ZXMP2120E5TA
ZXMP2120E5TA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 122mA (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28Ohm @ 150mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 750mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-5
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
Auf Lager4.968
ZXMP2120FFTA
ZXMP2120FFTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 200V SOT23F-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 137mA (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28Ohm @ 150mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23F
  • Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads
Auf Lager7.254
ZXMP2120G4TA
ZXMP2120G4TA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
Auf Lager6.804
ZXMP3A13FTA
ZXMP3A13FTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 206pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 625mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Auf Lager361.416
ZXMP3A16GTA
ZXMP3A16GTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
Auf Lager46.500
ZXMP3A16N8TA
ZXMP3A16N8TA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 8-SO
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Auf Lager11.688
ZXMP3A17E6TA
ZXMP3A17E6TA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-6
  • Paket / Fall: SOT-23-6
Auf Lager145.680
ZXMP3F30FHTA
ZXMP3F30FHTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 950mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Auf Lager3.132
ZXMP3F35N8TA
ZXMP3F35N8TA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.3A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.1nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.56W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 8-SO
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Auf Lager8.604
ZXMP3F36N8TA
ZXMP3F36N8TA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.2A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.9nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2265pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.56W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 8-SO
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Auf Lager2.268
ZXMP3F37N8TA
ZXMP3F37N8TA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SOP

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.6nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1678pF @ 15V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.56W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 8-SO
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Auf Lager4.896
ZXMP4A16GQTA
ZXMP4A16GQTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 40V SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: *
  • FET-Typ: -
  • Technologie: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
Auf Lager8.172
ZXMP4A16GQTC
ZXMP4A16GQTC

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 40V SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: *
  • FET-Typ: -
  • Technologie: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
Auf Lager2.304
ZXMP4A16GTA
ZXMP4A16GTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1007pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
Auf Lager4.878
ZXMP4A16KTC
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Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 40V 6.6A DPAK

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 965pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2.15W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252-3
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager8.532
ZXMP4A57E6TA
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Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 833pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-26
  • Paket / Fall: SOT-23-6
Auf Lager7.614
ZXMP6A13FQTA
ZXMP6A13FQTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 219pF @ 30V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 625mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Auf Lager54.144
ZXMP6A13FTA
ZXMP6A13FTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 900mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 219pF @ 30V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 625mW (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Auf Lager2.297.370
ZXMP6A13GQTA
ZXMP6A13GQTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: *
  • FET-Typ: -
  • Technologie: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: -
  • Paket / Fall: -
Auf Lager6.354
ZXMP6A13GTA
ZXMP6A13GTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 900mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 219pF @ 30V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA
Auf Lager81.444
ZXMP6A16GTA
ZXMP6A16GTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH SOT223

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-223
  • Paket / Fall: -
Auf Lager6.246
ZXMP6A16KTC
ZXMP6A16KTC

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 60V DPAK

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1021pF @ 30V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2.11W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252-3
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager21.654
ZXMP6A17E6QTA
ZXMP6A17E6QTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-26
  • Paket / Fall: SOT-23-6
Auf Lager140.292