Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1878/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
STT3PF30L STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-6 Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager5.994
STT4P3LLH6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ H6 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 639pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-6 Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager22.800
STT4PF20V STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-6 Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager3.060
STT5N2VH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V SOT23-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 367pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-6 Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager7.884
STT5PF20V STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 2.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-6 Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager6.894
STT6N3LLH6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 283pF @ 24V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-6 Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager4.284
STT7P2UH7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-6 Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager8.460
STTFS010N10MCL ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PTNG 100V LL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.124
STU10N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 85W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager6.246
STU10NM60N STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager25.362
STU10NM65N STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 9A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.326
STU10P6F6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 10A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 48V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.110
STU11N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 85W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager21.588
STU11NM60ND STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: FDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.508
STU12N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 538pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 85W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.690
STU12N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.780
STU13N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager23.082
STU13N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 10A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager26.436
STU13NM60N STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.510
STU150N3LLH6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 80A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4040pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager27.462
STU16N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 12A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager28.602
STU16N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 11A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 718pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager16.620
STU16N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 12A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.136
STU1HN60K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager16.632
STU25N10F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 100V 25A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.358
STU27N3LH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 27A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V Vgs (Max): ±22V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.564
STU2LN60K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 2A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.776
STU2N105K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1050V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.712
STU2N62K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 620V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.572
STU2N80K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 2A IPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (Max): 30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 105pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager28.350

«
‹
1
...
1875
1876
1877
1878 (current)
1879
1880
1881
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message