Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
STL7NM60N STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 363pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 14-PowerFLAT™ (5x5) Paket / Fall: 14-PowerVQFN	Auf Lager8.388
STL80N3LLH6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1690pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.546
STL80N4LLF3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.712
STL80N75F6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7120pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.544
STL85N6F3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.304
STL86N3LLH6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 80A PWRFLAT56 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2030pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.340
STL8DN6LF6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.8W (Ta), 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager121.686
STL8N10F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.616
STL8N10LF3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.3W (Ta), 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.258
STL8N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV Hersteller: STMicroelectronics Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.994
STL8N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta), 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 70W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFLAT™ (5x5) Paket / Fall: 14-PowerVQFN	Auf Lager2.178
STL8N6F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.186
STL8N6LF3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 65W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.734
STL8N6LF6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.8W (Ta), 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.714
STL8N80K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.816
STL8NH3LL STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 965pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager93.576
STL8P2UH7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (2x2) Paket / Fall: 6-PowerWDFN	Auf Lager27.510
STL8P4LLF6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F6 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.9W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager75.738
STL90N10F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager27.966
STL90N3LLH6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1690pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.866
STL90N6F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 90A F7 8PWRFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.8W (Ta), 94W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.730
STL92N10F7AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.078
STL9N3LLH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±22V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.928
STL9N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.454
STL9N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H Hersteller: STMicroelectronics Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.310
STL9N80K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.606
STL9P2UH7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.9W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager22.818
STL9P3LLH6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET PCH 30V 9A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ H6 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.334
STLD125N4F6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Dual Side Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager8.100
STLD200N4F6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 158W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Dual Side Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager4.050

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