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SQR50N04-3M8_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 40V 50A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)	Auf Lager2.142
SQR70090ELR_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 86A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)	Auf Lager14.706
SQR97N06-6M3L_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 50A TO252 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 (DPAK) Paket / Fall: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)	Auf Lager17.382
SQS401EN-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 16A Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1875pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager1.514.100
SQS401ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1875pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager2.664
SQS405EN-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 39W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager23.352
SQS405ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 39W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager28.782
SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4572pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8W Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8W	Auf Lager6.642
SQS411ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3191pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 53.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8W Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8W	Auf Lager26.082
SQS415ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4825pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8W Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8W	Auf Lager5.346
SQS420EN-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 18W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager2.718
SQS423EN-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager5.670
SQS460EN-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 8A Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 39W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager3.708
SQS460ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W Hersteller: Vishay Siliconix Serie: * FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 39W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8W Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8W	Auf Lager6.030
SQS462EN-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager4.860
SQS481ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 385pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager27.858
SQS482EN-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1865pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager2.880
SQS482ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212- Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1865pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8W Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8W	Auf Lager3.294
SQS484EN-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1855pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager5.868
SQS484ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 16A POWERPAK1212 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager56.154
SQS840EN-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 16A TO263 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1031pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager4.428
SQS850EN-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2021pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager5.904
SQSA80ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 18A POWERPAK1212 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1358pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager3.186
SQV120N06-4M7L_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.492
SQV120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager11.916
SS05N70AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.004
SS07N70AKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.166
SSH22N50A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5120pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 278W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.334
SSH70N10A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 70A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4870pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager2.844
SSM1N45BTF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 450V 500MA SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs (Max): ±50V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.174

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