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SN7002NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.012
SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager151.632
SN7002NH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.536
SN7002N L6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.308
SN7002NL6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.934
SN7002W E6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager7.938
SN7002W E6433 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager5.400
SN7002WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.282
SN7002WH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.200
SN7002W L6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager3.546
SN7002W L6433 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager5.958
SPA02N80C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager9.780
SPA03N60C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 29.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.374
SPA04N50C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 560V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.858
SPA04N60C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.156
SPA04N80C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.616
SPA06N60C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.742
SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 39W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager105.930
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.228
SPA07N60CFDXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.122
SPA07N65C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.768
SPA08N50C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 560V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.118
SPA08N80C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager22.308
SPA11N60C3IN Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-31 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.780
SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-31 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.400
SPA11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.330
SPA11N65C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.928
SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager35.442
SPA11N80C3XKSA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 11A TO220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Isolated Tab	Auf Lager2.880
SPA12N50C3XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 560V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.192

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