Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1757/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SIE830DF-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: WFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (S) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (S)	Auf Lager4.176
SIE830DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: WFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (S) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (S)	Auf Lager6.372
SIE832DF-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (S) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (S)	Auf Lager8.298
SIE832DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (S) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (S)	Auf Lager5.742
SIE836DF-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (SH) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (SH)	Auf Lager6.606
SIE836DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (SH) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (SH)	Auf Lager3.150
SIE844DF-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (U) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (U)	Auf Lager4.428
SIE844DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (U) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (U)	Auf Lager5.670
SIE848DF-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (L) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (L)	Auf Lager8.208
SIE848DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (L) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (L)	Auf Lager3.744
SIE854DF-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 13.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (L) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (L)	Auf Lager5.778
SIE854DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 13.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (L) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (L)	Auf Lager6.174
SIE860DF-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 21.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (M) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (M)	Auf Lager2.286
SIE860DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 21.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (M) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (M)	Auf Lager8.856
SIE862DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (U) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (U)	Auf Lager4.122
SIE864DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (U) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (U)	Auf Lager7.110
SIE868DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (L) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (L)	Auf Lager58.812
SIE874DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (L) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (L)	Auf Lager8.766
SIE876DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (L) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (L)	Auf Lager7.218
SIE878DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (L) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (L)	Auf Lager3.508
SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 10-PolarPAK® (L) Paket / Fall: 10-PolarPAK® (L)	Auf Lager2.862
SIHA100N60E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-220 FULLPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: E FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1851pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.474
SIHA11N80E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: E FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1670pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager20.832
SIHA120N60E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN Hersteller: Vishay Siliconix Serie: E FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1562pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.554
SIHA12N50E-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 886pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.536
SIHA12N60E-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 937pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.922
SIHA14N60E-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: E FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1205pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 147W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager21.276
SIHA15N50E-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1162pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager18.852
SIHA15N60E-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 15A TO-220 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.766
SIHA15N65E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: E FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2460pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager19.932

«
‹
1
...
1754
1755
1756
1757 (current)
1758
1759
1760
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message