Transistoren

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SI7114DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager6.876
SI7115DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager85.116
SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager126.456
SI7116DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager58.524
SI7116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager49.020
SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager55.080
SI7117DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager24.258
SI7119DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 666pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager99.420
SI7119DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 666pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager1.371.462
SI7120ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager5.958
SI7120DN-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager6.289
SI7120DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager6.174
SI7121ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager49.224
SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager5.706
SI7123DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3729pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager214.896
SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3345pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall: PowerPAK® 1212-8	Auf Lager3.942
SI7135DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8650pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager6.390
SI7136DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3380pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 39W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager8.226
SI7136DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3380pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 39W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager4.806
SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager2.628
SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 19.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager7.704
SI7138DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 19.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager4.914
SI7139DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager97.026
SI7141DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14300pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager69
SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager84.594
SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15660pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager101.784
SI7148DP-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 35V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager312.900
SI7148DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 35V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager2.052
SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5125pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager229.380
SI7149DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4590pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager73.830

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