Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1719/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager575.958
SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager302.964
SI2343DS-T1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.888
SI2343DS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager89.172
SI2343DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager74.400
SI2347DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 705pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager260.340
SI2351DS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 2.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.014
SI2351DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 2.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.016
SI2356DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager748.842
SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager278.796
SI2366DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 335pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.556
SI2367DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 561pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager22.854
SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.290.276
SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.826
SI2372DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 30V SOT23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta), 5.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 288pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager713.358
SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 20V SOT23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.046
SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager822.528
SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 196pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager58.434
SI2392DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 196pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.794
SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 835pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.410
SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta), 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 833pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager29.604
SI3134KE-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-523 PACKAG Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-523 Paket / Fall: SOT-523	Auf Lager5.472
SI3134KL-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG Hersteller: Micro Commercial Co Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager5.454
SI3134K-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 450mA, 1.8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-723 Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager625.086
SI3139KE-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single P-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 660mA Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-523 Paket / Fall: SOT-523	Auf Lager3.042
SI3139KL-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single P-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 680mA Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager3.618
SI3139K-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single P-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 660mA Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-723 Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager87.402
SI3400A-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1.155nF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager81.678
SI3401A-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.2A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager23.118
SI3402-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SOT23 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.34nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager27.120

«
‹
1
...
1716
1717
1718
1719 (current)
1720
1721
1722
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message