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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
RU1E002SPTCL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3F Paket / Fall: SC-85	Auf Lager22.962
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3F Paket / Fall: SC-85	Auf Lager349.686
RU1L002SNTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL MOSFET, 2.5V. MOSFETS Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.222
RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 1.2V DRIVE NCH MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SST3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager29.466
RUC002N05T116 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SST3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager22.878
RUE002N02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V .2A EMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: EMT3 Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager143.856
RUE002N05TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: EMT3 Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager8.712
RUE003N02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: EMT3 Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager76.560
RUF015N02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT3 Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager151.056
RUF020N02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 320mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT3 Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager95.508
RUF025N02FRATL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT3 Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager24.258
RUF025N02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 320mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT3 Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager4.644
RUL035N02FRATR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NCH 20V 3.5A POWER MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager8.820
RUL035N02TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 320mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager3.636
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VMT3 Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager1.557.306
RUM002N02T2L Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VMT3 Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager4.644
RUM002N05T2L Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VMT3 Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager204.588
RUM003N02T2L Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VMT3 Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager303.792
RUQ050N02TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager6.480
RUR020N02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager26.076
RUR040N02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager3.060
RUS100N02TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.736
RUU002N05T106 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.318
RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VML0806 Paket / Fall: 3-SMD, No Lead	Auf Lager5.580
RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VML0806 Paket / Fall: 3-SMD, No Lead	Auf Lager1.530.240
RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 (VML1006) Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager8.784
RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 (VML1006) Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager76.134
RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1A VML1006 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 (VML1006) Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager6.282
RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN1006-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager2.088
RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VML0604 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager6.894

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