Transistoren

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RQ5E050ATTCL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ5E050AT IS A SMALL SIGNAL MOSF Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 760mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager7.434
RQ5E065AJTCL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ5E065AJ IS A SMALL SIGNAL MOSF Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 760mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager3.474
RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager2.718
RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 45V 2A TSMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager25.242
RQ5H020TNTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ5H020TN IS A SMALL SIGNAL MOSF Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager7.434
RQ5H025TNTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ5H025TN IS A SMALL SIGNAL MOSF Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager25.350
RQ5H030TNTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ5H030TN IS A MOSFET WITH G-S P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager4.338
RQ5L015SPTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager80.838
RQ5L020SNTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ5L020SN IS A MOSFET WITH G-S P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager25.434
RQ5L030SNTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ5L030SN IS A SMALL SIGNAL MOSF Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager7.434
RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ5L035GN IS THE HIGH RELIABILIT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager6.192
RQ5P010SNTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ5P010SN IS A MOSFET WITH G-S P Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager22.098
RQ6A045APTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6A045AP IS THE LOW ON-RESISTAN Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager5.904
RQ6A045ZPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6A045ZP IS THE LOW ON - RESIST Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager8.208
RQ6A050ZPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6A050ZP IS THE LOW ON - RESIST Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager4.338
RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SC-95-6	Auf Lager3.024
RQ6C050UNTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 5A TSMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager96.942
RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SC-95-6	Auf Lager3.726
RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3A TSMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager7.560
RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6E030SP IS THE LOW ON - RESIST Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager25.602
RQ6E035ATTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager2.556
RQ6E035SPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6E035SP IS THE LOW ON - RESIST Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager27.546
RQ6E035TNTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6E035TN IS THE LOW ON - RESIST Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager28.338
RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6E040XN IS THE LOW ON-RESISTAN Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager4.158
RQ6E045BNTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager7.002
RQ6E045RPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6E045RP IS THE LOW ON - RESIST Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager3.186
RQ6E045SNTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6E045SN IS THE LOW ON - RESIST Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager3.600
RQ6E045TNTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6E045TN IS THE LOW ON - RESIST Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager25.554
RQ6E050AJTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single RQ6E050AJ IS SMALL SURFACE MOUNT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 950mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager25.074
RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 5A TSMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager8.280

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