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Transistoren

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Beschreibung
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R6006JND3TL1
R6006JND3TL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 86W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager8.406
R6006JNJGTL
R6006JNJGTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

R6006JNJ IS A POWER MOSFET WITH

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 86W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: LPTS (D2PAK)
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Auf Lager20.352
R6006JNXC7G
R6006JNXC7G

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 43W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-2 Full Pack
Auf Lager4.536
R6006KND3TL1
R6006KND3TL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 70W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager2.718
R6007END3TL1
R6007END3TL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 600V 7A POWER MOSFET. POWER

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 78W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager2.826
R6007ENJTL
R6007ENJTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 7A LPT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 40W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: LPTS (D2PAK)
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Auf Lager3.204
R6007ENX
R6007ENX

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 7A TO220

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 40W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager7.548
R6007JND3TL1
R6007JND3TL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

R6007JND3 IS A POWER MOSFET WITH

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3.5A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 96W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager7.686
R6007JNJGTL
R6007JNJGTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3.5A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 96W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: LPTS (D2PAK)
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Auf Lager6.228
R6007JNXC7G
R6007JNXC7G

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

R6007JNX IS A POWER MOSFET WITH

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3.5A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager21.210
R6007KNJTL
R6007KNJTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 78W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-263
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Auf Lager6.894
R6007KNX
R6007KNX

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager9.756
R6008ANX
R6008ANX

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 50W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager14.280
R6008FNJTL
R6008FNJTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 50W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: LPTS
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Auf Lager13.056
R6008FNX
R6008FNX

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 50W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager16.308
R6009END3TL1
R6009END3TL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 600V 9A POWER MOSFET. POWER

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 94W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.580
R6009ENJTL
R6009ENJTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 9A LPT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 40W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: LPTS (D2PAK)
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Auf Lager2.124
R6009ENX
R6009ENX

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 40W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager8.256
R6009JND3TL1
R6009JND3TL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 645pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 125W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager8.496
R6009JNJGTL
R6009JNJGTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

R6009JNJ IS A POWER MOSFET WITH

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 645pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 125W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: LPTS (D2PAK)
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Auf Lager5.022
R6009JNXC7G
R6009JNXC7G

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

R6009JNX IS A POWER MOSFET WITH

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 645pF @ 100V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 53W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager18.864
R6009KNJTL
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Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 94W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-263
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Auf Lager8.550
R6009KNX
R6009KNX

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 48W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager9.264
R6010ANX
R6010ANX

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 50W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager15.540
R6011END3TL1
R6011END3TL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 600V 11A POWER MOSFET. POWE

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 124W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.096
R6011ENJTL
R6011ENJTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 11A LPT

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 40W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: LPTS (D2PAK)
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Auf Lager5.328
R6011ENX
R6011ENX

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 40W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager7.428
R6011KND3TL1
R6011KND3TL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 600V 11A POWER MOSFET. POWE

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 124W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.366
R6011KNJTL
R6011KNJTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 124W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-263
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Auf Lager6.552
R6011KNX
R6011KNX

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 53W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-220FM
  • Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack
Auf Lager11.928