Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PHX45NQ11T,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 110V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager6.930
PHX8NQ11T,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 110V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager8.802
PHX9NQ20T,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 959pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager3.168
PI5101-01-LGIZ Vicor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA Hersteller: Vicor Corporation Serie: Picor® µRDS(on)FET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 5V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 60A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V Vgs (Max): ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-LGA (4.1x8) Paket / Fall: 3-FLGA	Auf Lager2.088
PMBF170,215 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830mW (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.230.996
PMBF170,235 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830mW (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager89.406
PMCM4401UNEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 20V 4WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (2x2) Paket / Fall: 4-XFBGA, WLCSP	Auf Lager98.892
PMCM4401UPEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (0.78x0.78) Paket / Fall: 4-XFBGA, WLCSP	Auf Lager100.746
PMCM4401VNEAZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 335pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (2x2) Paket / Fall: 4-XFBGA, WLCSP	Auf Lager6.624
PMCM4401VPEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (2x2) Paket / Fall: 4-XFBGA, WLCSP	Auf Lager7.290
PMCM4402UPEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (2x2) Paket / Fall: 4-XFBGA, WLCSP	Auf Lager75.330
PMCM440VNE/S500Z Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (0.78x0.78) Paket / Fall: 4-XFBGA, WLCSP	Auf Lager6.192
PMCM440VNEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 4WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (0.78x0.78) Paket / Fall: 4-XFBGA, WLCSP	Auf Lager3.222
PMCM6501UNEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 20V 6WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 105pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.48x.98) Paket / Fall: 6-XFBGA, WLCSP	Auf Lager70.602
PMCM6501UPEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 556mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (2x2) Paket / Fall: 4-XFBGA, WLCSP	Auf Lager80.820
PMCM6501VNEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 6WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.48x.98) Paket / Fall: 6-XFBGA, WLCSP	Auf Lager8.262
PMCM6501VPEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 6WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.48x.98) Paket / Fall: 6-XFBGA, WLCSP	Auf Lager6.786
PMCM650VNE/S500Z Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.48x.98) Paket / Fall: 6-XFBGA, WLCSP	Auf Lager3.294
PMCM650VNEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 4WLCSP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.48x.98) Paket / Fall: 6-XFBGA, WLCSP	Auf Lager6.246
PMF170XP,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1A SOT323 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290mW (Ta), 1.67W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager1.069.356
PMF250XN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 275mW (Ta), 1.065W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager5.472
PMF250XNEAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 30V 900MA SC70 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 342mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.606
PMF250XNEX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 30V 1A SC70 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 342mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager231.948
PMF280UN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.02A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager5.346
PMF290XN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager3.978
PMF370XN,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 870mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager309.612
PMF3800SN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 260mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85nC @ 10V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager8.784
PMF400UN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 830mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.030
PMF63UN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 275mW (Ta), 1.785W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager8.964
PMF63UNEAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 20V 2A SC70 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.85nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 289pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 395mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager7.164

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