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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
NTDV2955PT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.768
NTDV3055L104-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.298
NTDV5804NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 69A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 71W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.164
NTDV5805NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 51A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1725pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.982
NTDV6414ANT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.228
NTE4151PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 760mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 156pF @ 5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 313mW (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-89-3 Paket / Fall: SC-89, SOT-490	Auf Lager91.020
NTE4153NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 915mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-89-3 Paket / Fall: SC-89, SOT-490	Auf Lager1.375.398
NTF2955PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 492pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.498
NTF2955T1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 492pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager177.480
NTF3055-100T1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261) Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.976
NTF3055-100T1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261) Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.012
NTF3055-100T1G-IRH1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NFET SOT223 60V 3A 0.100R Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261) Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.102
NTF3055-100T3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.364
NTF3055-100T3LF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager3.402
NTF3055-160T1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.088
NTF3055-160T3LF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.580
NTF3055L108T1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager48.870
NTF3055L108T3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.156
NTF3055L108T3LF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager7.056
NTF3055L108T3LFG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.646
NTF3055L175T1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261) Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.822
NTF3055L175T1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261) Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.838
NTF3055L175T3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261) Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.268
NTF3055L175T3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261) Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager4.824
NTF3055L175T3LF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261) Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager7.038
NTF5P03T3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.56W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.790
NTF6P02T3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 8.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager4.248
NTGD3147FT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -25°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager5.670
NTGD4169FT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -25°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager3.564
NTGS1135PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 970mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager4.644

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