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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N2432A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager8.100
2N2432AUB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single BJTS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager2.826
2N2432UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single BJTS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager2.646
2N2481 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.472
2N2484 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN LL LN AMP TRANSISTOR Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-18-2 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager7.560
2N2484 MICROSS/On Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single DIE TRANS NPN LOW NOISE Hersteller: MICROSS/On Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.502
2N2484 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.05A TO-18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager7.572
2N2484 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.05A TO-18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager16.512
2N2484UA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.05A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UA	Auf Lager3.186
2N2484UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 0.05A SMD Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager7.884
2N2604 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.932
2N2605 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.03A TO-46 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-46-3	Auf Lager5.760
2N2605UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.906
2N2811 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.266
2N2812 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.318
2N2813 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.292
2N2814 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.304
2N2880 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.600
2N2895 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.554
2N2896 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single BJTS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 90V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1.8W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager7.812
2N2904 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager5.976
2N2904 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.412
2N2904 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager5.364
2N2904A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.914
2N2904A Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager22.548
2N2904AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.6A TO5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager8.208
2N2905 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager3.366
2N2905 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager6.138
2N2905A STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager7.668
2N2905A ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager8.820

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