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IXFH96N20P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 96A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXFH) Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.380
IXFH9N80 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXFH) Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.180
IXFH9N80Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD (IXFH) Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.454
IXFI7N80P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262 (I2PAK) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.022
IXFJ15N100Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-220 Hersteller: IXYS Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.644
IXFJ20N85X IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 850V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISO TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.096
IXFJ26N50P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 14A TO220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2220pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager61.776
IXFJ32N50 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-220 Hersteller: IXYS Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.678
IXFJ32N50Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 32A TO-220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager6.822
IXFJ40N30 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager6.498
IXFJ40N30Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager3.924
IXFJ52N30Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-220 Hersteller: IXYS Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.550
IXFJ80N10Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-220 Hersteller: IXYS Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.208
IXFJ80N20Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-220 Hersteller: IXYS Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.898
IXFJ80N25X3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 44A TO247 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5430pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISO TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.320
IXFK100N10 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.066
IXFK100N25 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager3.906
IXFK100N65X2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 100A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1040W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager5.040
IXFK102N30P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 102A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager3.996
IXFK110N07 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 70V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager9.432
IXFK120N20 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager5.220
IXFK120N20P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 714W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager3.024
IXFK120N25 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager2.286
IXFK120N25P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager4.896
IXFK120N30P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8630pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.208
IXFK120N30T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.982
IXFK120N65X2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 120A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.516
IXFK140N20P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager5.094
IXFK140N25T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 140A TO264 Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.724
IXFK140N30P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1040W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.228

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