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IRFI740GLC Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager3.996
IRFI740GLCPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager16.308
IRFI740GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager8.304
IRFI7440GPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 95A Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 57A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4549pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Full-Pak Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.060
IRFI7446GPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3199pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Full-Pak Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.326
IRFI744G Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager4.140
IRFI744GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager4.590
IRFI7536GPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 103A TO220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 86A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 48V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.734
IRFI820G Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager7.992
IRFI820GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager16.008
IRFI830G Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager8.190
IRFI830GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager20.028
IRFI840G Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager4.266
IRFI840GLC Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager3.780
IRFI840GLCPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager19.224
IRFI840GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager17.124
IRFI9520G Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager2.862
IRFI9520GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager14.124
IRFI9520N Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager6.750
IRFI9530G Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager5.004
IRFI9530GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager15.756
IRFI9530N Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Full-Pak Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager2.358
IRFI9540G Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 11A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager3.078
IRFI9540GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 11A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager18.888
IRFI9610G Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager3.744
IRFI9610GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager2.100
IRFI9620G Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager8.676
IRFI9620GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager17.220
IRFI9630G Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager2.340
IRFI9630GPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager19.800

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