Transistoren

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IRF7807ZTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager91.980
IRF7809 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7300pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.064
IRF7809A Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7300pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.856
IRF7809ATR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7300pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.230
IRF7809AV Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3780pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.300
IRF7809AVTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3780pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager32.226
IRF7809PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 28V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.262
IRF7809TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7300pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.208
IRF7811 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 28V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.734
IRF7811A Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 28V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.452
IRF7811APBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 28V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.570
IRF7811ATR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 28V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.784
IRF7811ATRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 28V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.802
IRF7811AVPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1801pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.544
IRF7811AVTR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1801pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.344
IRF7811AVTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1801pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.920
IRF7811TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 28V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.210
IRF7811WGTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2335pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.966
IRF7811WTR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2335pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.498
IRF7811WTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2335pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.610
IRF7815PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1647pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.838
IRF7815TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1647pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager105.078
IRF7820PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.560
IRF7820TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager32.328
IRF7821GTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.410
IRF7821PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.550
IRF7821TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.982
IRF7821TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager201.156
IRF7822PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.448
IRF7822TRL Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.478

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