Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1373/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IRF7524D1TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager3.384
IRF7524D1TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager7.614
IRF7526D1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager7.866
IRF7526D1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager5.886
IRF7526D1TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager7.272
IRF7526D1TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager4.770
IRF7534D1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1066pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager3.420
IRF7534D1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1066pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager7.416
IRF7534D1TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1066pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager4.482
IRF7580MTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 114A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 115W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DirectFET™ Isometric ME Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ME	Auf Lager2.520
IRF7601PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager2.988
IRF7601TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager7.920
IRF7601TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager33.888
IRF7603TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager5.670
IRF7603TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager2.100
IRF7604TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager3.654
IRF7604TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager3.564
IRF7606TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager3.508
IRF7606TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager31.248
IRF7607 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager6.984
IRF7607TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager31.632
IRF7663 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager4.050
IRF7663TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager8.658
IRF7663TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Micro8™ Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)	Auf Lager6.102
IRF7665S2TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET SB Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SB	Auf Lager5.058
IRF7665S2TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET SB Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SB	Auf Lager8.046
IRF7700 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Auf Lager5.472
IRF7700GTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Auf Lager2.898
IRF7700TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Auf Lager3.598
IRF7700TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Auf Lager7.326

«
‹
1
...
1370
1371
1372
1373 (current)
1374
1375
1376
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message