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IRF6636 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 81A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager4.680
IRF6636TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 81A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager7.200
IRF6636TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 81A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager8.982
IRF6636TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 81A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ ST Paket / Fall: DirectFET™ Isometric ST	Auf Lager38.430
IRF6637TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MP Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MP	Auf Lager7.074
IRF6637TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MP Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MP	Auf Lager8.118
IRF6637TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 59A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MP Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MP	Auf Lager6.408
IRF6638TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3770pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager5.364
IRF6638TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3770pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MX Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MX	Auf Lager7.272
IRF6641TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta), 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MZ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MZ	Auf Lager8.676
IRF6641TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta), 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MZ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MZ	Auf Lager5.652
IRF6643TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MZ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MZ	Auf Lager4.788
IRF6643TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MZ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MZ	Auf Lager33.756
IRF6644 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MN Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MN	Auf Lager4.050
IRF6644TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MN Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MN	Auf Lager5.184
IRF6644TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MN Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MN	Auf Lager6.516
IRF6644TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MN Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MN	Auf Lager39.312
IRF6645 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Ta), 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SJ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SJ	Auf Lager6.444
IRF6645TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Ta), 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SJ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SJ	Auf Lager5.328
IRF6645TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Ta), 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SJ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SJ	Auf Lager170.100
IRF6646TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 68A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MN Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MN	Auf Lager5.058
IRF6646TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 68A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MN Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MN	Auf Lager7.794
IRF6646TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 68A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MN Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MN	Auf Lager3.798
IRF6648TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 86A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MN Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MN	Auf Lager5.238
IRF6648TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 86A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MN Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MN	Auf Lager8.028
IRF6648TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 86A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MN Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MN	Auf Lager86.340
IRF6655TR1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.8V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SH Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SH	Auf Lager5.076
IRF6655TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.8V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SH Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SH	Auf Lager5.004
IRF6655TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.8V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SH Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SH	Auf Lager131.340
IRF6662TR1PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.3A (Ta), 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ MZ Paket / Fall: DirectFET™ Isometric MZ	Auf Lager2.826

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