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IPFH6N03LA G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 50A DPAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 71W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: P-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.870
IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL_30/40V Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.956
IPI020N06NAKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7800pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3-1 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.546
IPI023NE7N3 G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 37.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.382
IPI024N06N3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.660
IPI024N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 120A Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3-1 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager29.736
IPI028N08N3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14200pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.488
IPI029N06NAKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager10.248
IPI030N10N3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14800pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.002
IPI030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14800pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.210
IPI032N06N3 G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 188W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.862
IPI032N06N3GAKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 120A Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 188W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.546
IPI034NE7N3 G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8130pF @ 37.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.274
IPI037N06L3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 167W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.532
IPI037N08N3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8110pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.560
IPI037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 100A Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8110pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.014
IPI03N03LA Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7027pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.786
IPI040N06N3GHKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 188W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.122
IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 90A Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 188W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager14.844
IPI041N12N3GAKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 60V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.580
IPI045N10N3GXK Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ 3 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 137A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8410pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.730
IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8410pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.172
IPI04CN10N G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.040
IPI04N03LA Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 80A TO-262 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3877pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 107W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.598
IPI051N15N5AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MV POWER MOS Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.868
IPI052NE7N3 G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 37.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.768
IPI057N08N3 G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.274
IPI05CN10N G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.934
IPI05N03LA Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3110pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.868
IPI06CN10N G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9200pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 214W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.748

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