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IPD65R380C6BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager25.362
IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.626
IPD65R380E6BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.960
IPD65R400CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 118W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager20.232
IPD65R420CFDAATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 345µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83.3W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.688
IPD65R420CFDATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.654
IPD65R420CFDATMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-341 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.174
IPD65R420CFDBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.678
IPD65R600C6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.256
IPD65R600C6BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.712
IPD65R600E6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ E6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.536
IPD65R600E6BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.318
IPD65R650CEATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 0.21mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 86W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.754
IPD65R650CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 7A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CE FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 86W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.894
IPD65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 214.55µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 543pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.102
IPD65R660CFDATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 6A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.616
IPD65R660CFDBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 6A TO252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.466
IPD65R950C6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ C6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.812
IPD65R950CFDATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 36.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.700
IPD65R950CFDATMA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ CFD2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 36.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.676
IPD65R950CFDBTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 36.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.400
IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager49.176
IPD70N04S3-07 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 82A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.752
IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4355pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager24.828
IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.124
IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4355pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-11 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.940
IPD70N12S3L12ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL_100+ Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.454
IPD70P04P409ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 73A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4810pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-313 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager45.696
IPD70P04P4L08ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5430pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3-313 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.222
IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 53W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.334

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