Transistoren

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FDMT80060DC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V Hersteller: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A (Ta), 292A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20170pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-Dual Cool™88 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.708
FDMT80080DC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V Hersteller: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Ta), 254A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20720pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-Dual Cool™88 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.784
FDN028N20 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager27.816
FDN302P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 882pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager791.028
FDN304P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1312pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager566.514
FDN304PZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.240.812
FDN306P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1138pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.796.988
FDN308P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 341pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.380
FDN327N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 423pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.071.360
FDN335N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.631.798
FDN336P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager357.222
FDN336P-NL ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.464
FDN337N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.631.360
FDN337N-F169 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.142
FDN338P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 451pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.445.598
FDN338P_G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single INTEGRATED CIRCUIT Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 451pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.310
FDN339AN ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager549.162
FDN339AN_G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.712
FDN340P MICROSS/On Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L Hersteller: MICROSS/On Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 779pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager6.048
FDN340P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 779pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.438.782
FDN342P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager275.028
FDN352AP ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.724.004
FDN357N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager350.034
FDN358P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 182pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager125.304
FDN359AN ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager733.524
FDN359BN ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager227.292
FDN360P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 298pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager350.238
FDN360P-NBGT003B ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 298pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.084
FDN361AN ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.716
FDN361BN ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager91.764

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