Transistoren

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FDFS2P103A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.228
FDFS2P106A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.508
FDFS2P753AZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.560
FDFS2P753Z ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.758
FDFS6N303 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.454
FDFS6N548 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager36.012
FDFS6N754 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.100
FDG311N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager51.930
FDG312P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager7.020
FDG313N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 950mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager5.040
FDG313N_D87Z ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 950mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager3.490
FDG314P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 650mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager6.606
FDG315N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager334.368
FDG316P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager205.926
FDG326P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager5.706
FDG327N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 423pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 420mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager372.822
FDG327NZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 420mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager313.824
FDG328P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager232.728
FDG329N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 420mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager8.982
FDG330P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 477pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager5.076
FDG332PZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager203.262
FDG361N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 420mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager3.834
FDG410NZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 420mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Auf Lager56.688
FDH038AN08A1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8665pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.164
FDH047AN08A0 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.712
FDH055N15A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V TO-247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 158A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9445pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 429W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager5.940
FDH15N50 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 15A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.150
FDH210N08 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 210A TO-247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 462W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.492
FDH27N50 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.852
FDH3632 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 310W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager106.176

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