Transistoren

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FDD3670 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2490pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.736
FDD3672 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.160
FDD3672-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 6V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 144W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.282
FDD3680 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 68W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.304
FDD3682 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 95W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.136
FDD3682-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 95W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.988
FDD3690 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1514pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.650
FDD3706 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.7A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1882pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager23.460
FDD3860 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.112
FDD390N15A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 26A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1285pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.016
FDD390N15ALZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.232
FDD3N40TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.616
FDD3N40TM ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 2A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.724
FDD3N50NZTM ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET-II™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.110
FDD4141 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.8A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2775pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager249.972
FDD4141-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.8A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2775pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager105.918
FDD4141-F085P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.102
FDD4243 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.7A (Ta), 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager46.806
FDD4243-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.7A (Ta), 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.988
FDD4243-F085P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PMOS DPAK 40V 44 MOHM Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.688
FDD45AN06LA0 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 25A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Ta), 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.472
FDD45AN06LA0_F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 25A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Ta), 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.712
FDD4685 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.4A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager224.868
FDD4685-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 32A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.4A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.470
FDD4685-F085P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PMOS DPAK 40V 27 MOHM Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.538
FDD4685TF_SB82135 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.4A (Ta), 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2380pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.222
FDD4N60NZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET-II™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 114W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.420
FDD5353 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3215pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager53.448
FDD5612 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager20.538
FDD5614P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 15A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 759pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager238.272

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