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FDBL0150N80 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 300A Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 429W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager2.772
FDBL0200N100 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 300A 8-HPSOF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9760pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 429W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager7.416
FDBL0210N80 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 240A H-PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager28.362
FDBL0240N100 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 210A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 210A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8755pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager32.298
FDBL0260N100 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 200A 8PSOF Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9265pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager3.418
FDBL0330N80 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 220A 8PSOF Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6320pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager21.492
FDBL0630N150 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 169A H-PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 169A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5805pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager5.472
FDBL86062-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 300A 8-HPSOF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 429W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager2.898
FDBL86063_F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TRENCH PTNG 100V Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5120pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager8.712
FDBL86063-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5120pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager7.128
FDBL86066-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PTNG 100V N-FET TOLL Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 185A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3240pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager2.736
FDBL86210-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 169A PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 169A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5805pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager21.702
FDBL86361-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 300A PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 429W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager5.724
FDBL86363-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 240A PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager2.790
FDBL86366-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 220A PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6320pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager7.830
FDBL86561-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 300A PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13650pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 429W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager6.912
FDBL86563-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 240A PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager8.838
FDBL86566-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 240A MO299A Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6655pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager16.770
FDBL9401-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 300A PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 429W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager2.520
FDBL9401L-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NMOS LL TOLL 40V 0.55 MOH Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 376nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 19550pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 429W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager2.556
FDBL9403-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager4.140
FDBL9403L-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NMOS TOLL 40V LL 0.72 MOH Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14100pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager8.784
FDBL9406-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7735pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager3.852
FDBL9406L-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single NMOS TOLL 40V 1.8 MOHM Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A (Ta), 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HPSOF Paket / Fall: 8-PowerSFN	Auf Lager3.474
FDC021N30 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PT8 N 30V/20V, MOSFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager4.896
FDC2512 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 1.4A SSOT-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 344pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager6.624
FDC2512_F095 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-SSOT Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 344pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager4.302
FDC2612 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 234pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager7.506
FDC2612_F095 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 234pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager2.520
FDC30N20DZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-6 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager3.852

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